VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US
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VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US
MTI
Wafer monocristallino di InP
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Non
drogato Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: lucidato
su un lato Resistività: (1,8-3,05) x 10^-1 ohm·cm
Mobilità: (4100-4340) cm²/V·s
EPD: <5000 /cm²
Concentrazione di portatori: (4,72-8,27) × 10¹⁵ /cmE⁻³
