VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US
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VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US
MTI
Wafer monocristallino di InP
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Non drogato
Tipo conduttivo: S-C
Lucidatura: Lucidato
su entrambi i lati Resistività: (2,48-3,34)×10⁻¹ ohm·cm
Mobilità: 4250-4340 cm²/V·s
EPD: <5000 /cm²
Concentrazione di portatori: (4,34-5,91) × 10¹⁵ /cm
