VGF InP (110) drogato con Fe, wafer da 2 "x0,5 mm, 2sp

Wafer monocristallino di InP con VGF Orientamento: (110)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
Doping: Dopato
con Fe Tipo di conduzione:                                     semi-isolante
Resistività: (1,54-1,72)E7 ohm·cm
Mobilità:                                                 2180–2190 cmE²/V·s
EPD:                                                      <5000 /cm²
Lucidatura: lucidato su entrambi i lati