Substrato di cristallo A-Z

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CaCO3 a cristallo singolo, (100) Ori, 10x10x1.0mm, 1SP, .- CCOa101010S1

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CaCO3 a cristallo singolo, orientamento (001), 10x10x0,5 mm, 2SP - CCOb101005S2

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Cristallo singolo CaCO3 (100) Orientamento, 5x5x0,5mm, un lato lucidato EPI.

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Cristallo singolo CaCO3 (100) Orientamento, 10x10x0,5mm, un lato EPI lucidato - CCOa101005S1

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 5 mm x 5 mm x 0,46 mm, 2sp, pellicola: spessore 0,5um

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10 mm x 10 mm x 0,46 mm, 2sp, film: spessore 0,5 um

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 5mmx 5mmx0,46 mm, 2sp, film: spessore 1,0um

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 5mmx 5mmx0,46 mm, 2sp, film: 0,6um di spessore

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10mmx 10mmx0,46mm, 2sp, film: spessore 1,0 um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10mmx 10mmx0,46mm, 2sp, film: spessore 0,6 um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: spessore 1,0 um,

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: 0,6 um di spessore,

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: 0,5 um di spessore,

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 1sp, film: 1,0 um di spessore

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 1sp, film: spessore 0,6 um

MTI

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 1sp, film: 0,5 um di spessore

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Film SiC-3C di tipo N su wafer di silicio (111), film: 1,0um Spessore del substrato: 10x10x1,0 mm

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Elemento riscaldante SiC per forno a muffola KSL-1400A4 - KSL-1400A4-HEL

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SiC - 6H (0001), 5x5x0,33 mm, 2 SP

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SiC - 6H (0001), 10x10x0,26 mm, due lati lucidati