Substrato di cristallo A-Z

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato con Ge, lucidato su due lati

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo P, drogato Ge, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,45 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

MTI

InSb (100) 10x10x 0,3 mm, tipo N, drogato Te, 1 lato lucidato

MTI

InP-VGF- (100) drogato S, wafer 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

MTI

InP-VGF cresciuto (111)B non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cresciuto (111)B drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A non drogato, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

MTI

InP-VGF cresciuto (111)A drogato con Fe, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp, semi-isolante - IPFecA50D035C1US

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)A drogato Zn-, tipo P, wafer da 2 "x 0,35 mm, 1sp - IPZncA50D035C1US

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) drogato con Sn, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) drogato S, wafer da 2 "x0,5 mm, 1sp

MTI

InP, metodo di crescita: VGF(100) drogato Zn, 3" x 0,625 mm, wafer, 1sp

MTI

InP - (cresciuto in VGF), (111)A, drogato con S, wafer da 2" x 0,5 mm, 1sp - IPScA50D05C1US

MTI

InAs, (100), drogato Sn, tipo N, 10m-10m x10mm x 0,5mm 1sp - IASna101005S1

MTI

InAs (511), wafer a forma di ellisse drogato con S (area >30mm dia) 1sp - IAS511ellipes

MTI

InAs (411), wafer a forma di ellisse drogato con S (area >30mm dia) 1sp - IAS411ellipes

MTI

InAs (111)A, non drogato, tipo N, 5 mm x 5 mm x 0,45 mm 1sp