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Gruppo di tenuta sottovuoto a morsetto rapido singolo con valvola di ingresso del gas per tubo da 20 mm di diametro esterno - FL20KF16QR

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Gruppo di tenuta per tubi da 1" su un solo lato con valvola e inserto da 1/4" TC - EQ-FL-25F-TC

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Foglio di alluminio rivestito di carbonio conduttivo su un solo lato per il substrato del catodo della batteria (180 mm di larghezza x 16um di spessore) - EQ-CC-Al-16u-180-ss

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Forno tubolare a zona singola (diametro 80 mm, 1200 C max) con miscelatore di gas a 3 canali, pompa per vuoto e manometro per vuoto anticorrosivo - OTF-1200X-80-F3LV

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Forno tubolare a zona singola con tubo al quarzo da 6" a 8,5" e flange sottovuoto a cerniera (1100C, zona di riscaldamento da 24") - GSL-1100X-6/8,5-1

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Allumina rivestita su un solo lato su substrato di PE come separatore di batterie (1000 m L × 60 mm W × 20 um T) - EQ-Lib-AlPE6020

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Ossido stratificato rivestito su un solo lato NaNi1/3Fe1/3Mn1/3O2 per catodo di batterie a ioni di sodio (241 L x 200 W x 0,08 spessore mm) 5 fogli/sacco - bcaf-NFMOss

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Flangia Hi-Vacuum a morsetto rapido su un solo lato per tubo da 25 mm di diametro esterno con accessori opzionali - EQ-FL-25KF25

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Flangia a sgancio rapido monolaterale per tubo da 50 mm di diametro esterno con accessori opzionali - FL-50KF50

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Flangia rapida su un solo lato con adattatore KF16 per tubi con diametro esterno da 8 mm a 45 mm

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Piastra campione di mullite sinterizzata (125 mm L x 95 mm L x 8 mm T) per forno a muffola MTI - MLP1291

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Piastra campione in mullite sinterizzata (250 mm L x 180 mm L x 8 mm T) Max. 1400C - MLPlate-25181

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Film sottile SiO2+Pt su substrato di Si (drogato con B), 10x10x0,5mm, 1sp (SiO2=500nm, Pt=60nm)

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Film sottile SiO2+Ti+Pt (111) su substrato di Si, 5x5x0,525mm, 1sp, tipo P, drogato B, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm)

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Film sottile SiO2+Ti+Pt su substrato di Si, 10x5x0.5mm, 1sp, drogato B, (SiO2=500nm, Ti=50nm, Pt=200nm)

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Film sottile di SiO2+Ti+Pt(111) su substrato di Si, 2 "x0,279mm, 1sp di tipo P drogato B.R:1-20 ohm.cm

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Film sottile SiO2+Ti+Pt(111) su substrato di Si, 4 "x0.525mm, 1sp P-tipo B-drogato, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm)

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Miscelatore centrifugo sottovuoto ad alta produttività a sei contenitori (30mL) - MSK-PCV-30

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Forno a tubo diviso a sei zone (tubo al quarzo da 2-4" opzionale x 2 metri di lunghezza, 1200C max.) - OTF-1200X-VI-2M-UL

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SKZD-2 bocchetta d'aria - SKZD-AVent