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Foglio di vanadio (V): 0,25 mm t x50 mm L x 100 mm L - MF-V-Foil-100L-0,25T

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Cella a flusso di ossido di vanadio (unità singola) per la ricerca e sviluppo di batterie - EQ-VRB-C-LD

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Forno verticale a tubo sottovuoto e in atmosfera 1700C con tubo in allumina da 80 mm - GSL-1700X-VT-UL

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Rivestitore verticale a doppio lato R2R con larghezza massima di 250 mm. 250 mm di larghezza per elettrodi di batteria-MSK-AFA-DS300-LD

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Forno verticale di pirolisi 1500 Max. per la sintesi di nanoparticelle - OTF-1500X-VT-III-PGEP

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Forno tubolare verticale per il collaudo di piccole celle a combustibile (cella da 20 mm, 1000°C) - OTF-1200X-S-VT-C4

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VGF -InP (100) non drogato 5x5x0,35mm, 1sp

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VGF InP (100) drogato con Fe, wafer da 2" x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

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VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

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VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

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VGF InP (100) non drogato, wafer 10x10x 0,35 mm, 1sp

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VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp

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VGF InP (110) drogato con Fe, wafer da 2 "x0,5 mm, 2sp

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VGF-GaAs (100) tipo N drogato Si 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Si 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp

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Orientamento VGF-GaAs (100), drogato con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

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Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con As), R: 0,088-0,183ohm.cm

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Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con As), R: 0,173-0,25 ohm.cm

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Wafer VGF-Ge (100) con errore di taglio di 6 gradi verso <111> , diametro 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), R: 0,3-0,33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US