Fuente de pulverización catódica por magnetrón de 1" con conector rápido de alto vacío - HVMSS-SPC-1
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Fuente de pulverización catódica por magnetrón de 1" con conector rápido de alto vacío - HVMSS-SPC-1
MTI
La HVMSS-SPC-1 es una pistola de pulverización catódica por magnetrón con cabezal recto, capaz de alojar una amplia gama de fuentes de pulverización catódica de 1" de diámetro . Su compatibilidad con fuentes de alimentación de CC, CC pulsada y RF garantiza la máxima versatilidad y amplía su uso a diversos cátodos para sputtering (por ejemplo, metálicos, eléctricamente aislantes, magnéticos o no magnéticos, etc.). Se incluye un accesorio de conexión rápida para que la instalación de este aparato sea sencilla y también ofrece cambios de cátodos sencillos que no requieren ninguna unión de cátodos.
ESPECIFICACIONES
| Características |
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Pistola de pulverización catódica![]() |
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Conector Eléctrico ![]() | |
| Requisitos de alimentación |
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| Corriente de pulverizacióncatódica | 3 Amp (Máx.) |
| Tensión de pulverizacióncatódica | 200 - 1,000 V |
| >Rango de presión de funcionamiento | ~1 mTorr a 1 Torr |
| Espesor de sputtering Curva de uniformidad ![]() |
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| Refrigeraciónpor agua (necesaria) |
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| Conexiones eléctricas y de montaje | |
| Brida de vacío con pasamuros (opcional) | La brida de 6" CF con un pasamuros de alto vacío está disponible bajo pedido con un coste adicional. El cabezal del sputtering puede instalarse fácilmente en la brida de vacío de 6'' CF a través del desconector rápido. La posición en altura de la pistola de sputtering puede ajustarse manualmente dentro de la cámara de vacío. ![]() |
| Blanco para sputtering de plasma |
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| Longitud total | 14 pulgadas |
| Peso neto | 3 libras |
Accesorios opcionales |
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| Instrucciones de uso | |
| Garantía | Un año limitada de por vida soporte |
![]() Haga clic en la imagen superior para ver más productos. | |
| Información sobre el recubrimiento para sputtering | Sputtering DC También conocido como sputtering de diodo de corriente continua, es el tipo más básico de sputtering. Los cationes de argón ionizados se aceleran hacia el cátodo mediante una tensión de polarización negativa. Tras la colisión del argón con el cátodo (donde se coloca el material objetivo), las especies de la fuente objetivo son expulsadas y posteriormente se depositan en el sustrato. Sputtering RF Es ideal para materiales diana eléctricamente aislantes o dieléctricos o sustratos como la cerámica. Permite utilizar una presión de argón muy inferior a la de su homólogo de corriente continua (1-15 mTorr frente a 100 mTorr), lo que a su vez reduce la concentración de impurezas gaseosas y en la cámara, al tiempo que mejora la línea de visión de la deposición debido al menor número de colisiones gaseosas. Pulverización catódica por magnetrón Esta función de pulverización catódica aumenta en gran medida la velocidad de pulverización catódica al concentrar iones y electrones en una región confinada sobre el cátodo. Al atrapar los electrones cerca del mediante un campo magnético, la ionización del argón aumenta considerablemente, a la vez que se reduce la presión del gas a 0,5 mTorr para mejorar aún más la línea de visión de la deposición. Las características anteriores ofrecen una tasa de deposición mejorada disminuyendo las impurezas de los recubrimientos y permiten operar con temperaturas de sustrato más bajas en las deposiciones. Este tipo de sputtering puede utilizarse junto con una fuente de alimentación de CC o RF. |

















