Sustrato metálico A-Z

MTI

Sustrato de un solo cristal de Ag (plata): <100>, 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida

MTI

Zn Sustrato monocristalino(0001) 10 x 10 x0,5 mm, Una cara pulida

MTI

Zn - Sustrato policristalino: 10 x 10 x 0,5 mm, Una cara pulida - McZn101005S1Poly

MTI

W Sustrato policristalino: 10 x 10 x 0,5 mm, una cara pulida

MTI

W Sustrato policristalino: 10 x 10 x 0,5 mm, dos caras pulidas

MTI

Tungsteno (W) Sustrato policristalino: 1 "x1 "x0,5 mm, dos caras pulidas

MTI

Sustrato metálico de titanio (Ti): 10x5x0,5 mm, 1 cara pulida - mcTi100505S1

MTI

Sustrato metálico de titanio (Ti): 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida - mcTi101005S1

MTI

Sustrato metálico de titanio (Ti): 1 "x1 "x0,5 mm, 1 cara pulida - mcTi252505S1

MTI

Sustrato metálico de titanio (Ti): 1 "x0,5 mm, 1 cara pulida - mcTi25D05C1

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Sustrato metálico de titanio (Ti): 0,5 "x0,5 mm, 1 cara pulida - mcTi12D05S1

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Sustrato de acero inoxidable (SUS301 HV200-HV600 ): 1" Dia x 0.3 mm, como laminado en frío

MTI

Lámina de vanadio (V): 0,25 mm t x 50 mm A x 100 mm L - MF-V-Foil-100L-0,25T

MTI

Níquel<111> Película (100nm) Recubierta SiO2/Si Oblea -(100) P/Boron ,10x10x0.5mmSSP, R:1-20 ohm.cm - Ni-SO/Si-101005S1

MTI

Níquel <111> Film( 100nm) Recubierto Si Wafer (100) P/Boron ,10x10x0.5mmSSP, R:1-20 ohm.cm

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Níquel <111> Film (100nm) + 300 nm SiO2 coated Silicon Wafer -4" dia .(100) P/Boron ,SSP, R:1-20 ohm.cm

MTI

Sustrato monocristalino de Ni, <111>, 5x5 x 1,0 mm, 1 cara pulida

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Sustrato monocristalino de Ni, <111>, 10x10 x 1,0 mm, 1 cara pulida - McNic101010S1US5

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Sustrato monocristalino de Ni, <110>, 5x5 x 1,0 mm, 1 cara pulida

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Sustrato monocristalino de Ni, <110>, 30 Dia. x 1,0 mm, 1 cara pulida - McNie30D10C1US0