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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

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Sustrato monocristalino Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

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Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Fe 10x10x0.5mm, 1SP

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Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Sn 10x10x0.5mm, 1SP

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Ga:ZnO (0001) tipo N+, dopado con Ga, 10x10x0,5mm, cara 1sp Zn pulida

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,5mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D05C1deg2US

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Orientación GaAs (100), SI (semiaislante), sin dopar 5x5x 0,5mm, 1sp,

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GaAs (100), tipo N dopado con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

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GaAs (111)A orientación, Semi-Insulating, undoped, 10x10x 0.55mm, 1sp,

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GaAs (111)A orientación, Semi-Insulante, no dopado, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

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Orientación GaAs (111)B, Semiaislante, sin dopar, 10x10x 0,625mm, 1sp,

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GaAs (111)B orientación, Semi-Insulating, undoped, 5X5x 0.625mm, 1sp

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 1SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.6 mm, 1SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x3 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x5 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF(100) Si dopado, tipo N, 2" dia x 0.5mm, 2sp,Concentración portadora: (3.8-6.2) x 10^16 /cm^3