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Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 1SP

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Oblea de GaAs, Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 2SP

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Oblea de GaAs, método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas semi-aisladas 3 "D x0.5 mm, 2SP - GAUa76D05C2US5

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GaAs( LEC ) Wafer (110) undoped Semi-Insulated 2 "D x 2.8 mm, as cut

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GaAs, (110) ori. no dopado, 5x5x5,5-5,6mm, 2sp

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GaAs, Método de crecimiento: VGF (111)B, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 2sp - GASicB50D035C2US

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)A, dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)B , dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.4 mm, 2sp

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 3" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.4-3.96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 4" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.47-3.78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10x10x0,3mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 5 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. no dopado, 10x10x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. un-doped, Semi-Insulating, 20x20x0.5mm, 1sp

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 1sp,

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

FCS

Ceria dopada con gadolinio (10% Gd) - Polvo de grado medio

FCS

Ceria dopada con gadolinio (10% Gd) - Nanopolvo