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FCS

Ceria dopada con gadolinio (20% Gd) - Polvo de grado medio

FCS

Nanopolvo de cerio dopado con gadolinio (20% Gd)

FCS

Ceria dopada con gadolinio (20% Gd) - Polvo para colada en cinta

MTI

Polvo electrolítico para SOFC de cerio dopado con gadolinio (CGO), 500 g/paquete - EQ-SOFC-CGO

MTI

GaN (0001) 10x10,5x0,35mm,1sp, Semiaislante

MTI

GaN (0001) 10x10.5x0.35mm,2sp ,Semi-aislante

MTI

GaN , tipo N , dopado con Si (0001) 10x10,5x0,35mm,2sp

MTI

GaN ,tipo N ,dopado con Si (0001) 10x10,5x0,35mm,1sp- Cara Ga pulida

MTI

GaN -Sustrato de cristal único (0001), 50,8 mm x 0,25 mm , tipo N+, 2SP

MTI

GaN -Sustrato de cristal único (0001), 50,8 mm x 0,25 mm , tipo N+, 1SP

MTI

GaN -Sustrato monocristalino (0001), tipo N, 10x10,5x0,27 mm , 1SP

MTI

GaN -Sustrato de cristal único (0001), tipo N, 10x10x0,475 mm, 1SP - GaNC10100475S1NSUS5

MTI

GaN -Sustrato monocristalino (0001), semiaislante, 10x10x0,475 mm, 1SP, calidad de producción - GaNC10100475S1SemiBUS5

MTI

GaN -Sustrato monocristalino, tipo N, (0001), 10x10,5x0,3 mm , 2SP

MTI

GaN -Sustrato de cristal único, tipo N, (0001), 10x10,5x0,35 mm , 1SP

MTI

Sustrato monocristalino de GaN, tipo N, (10-10), 5 x10 x 0,3 mm , 1SP

MTI

Plantilla GaN ( 200nm) sobre oblea de silicio, GaN (tipo N, no dopado), Si(111) tipo N dopado con P,10x10x0.279mm,1sp R:1-10 ohm.cm

MTI

Plantilla de GaN sobre oblea de silicio de 2", película de GaN(500nm), tipo N, sin dopar sobre sustratos de Si (111), 2 "x 0,279 mm, 1sp

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Plantilla GaN sobre Zafiro (0001), tipo N sin dopar, 2" Dia. x 0.43 - 0.5mm, 1sp, Pelicula GaN:4 - 5 micron

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Plantilla de GaN sobre zafiro (0001), tipo N, sin dopar, 2 "x 0,5mm,1sp Película de GaN:30um, (Grado de Producción) - FmGaNonALC50D05C1FT30um