MTI  |  SKU: GASia50D05C2US5

GaAs , Método de crecimiento: VGF(100) Si dopado, tipo N, 2" dia x 0.5mm, 2sp,Concentración portadora: (3.8-6.2) x 10^16 /cm^3

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GaAs , Método de crecimiento: VGF(100) Si dopado, tipo N, 2" dia x 0.5mm, 2sp,Concentración portadora: (3.8-6.2) x 10^16 /cm^3

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Tamaño: 2" dia x 0.5mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Dopado: Si dopado
  • Tipo de conductor: S-C-N
  • Concentración de portadores: (3,8-6,4) x 10^16 /cm^3
  • Movilidad: (3450-4150) cm^2/V.S
  • Resistividad: (2,74-4,24) E-2 ohm.cm
  • EPD: < 5000cm^2
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI

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