![GaAs (100) orientation, 2 deg OFF Toward [101] +/- 0.5 deg, Te doped, N-type, 2" dia x 0.485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US - Thasar Store](http://www.thasar.com/cdn/shop/files/thumb_gaas_206f686e-ffbd-4814-99ab-e6ed19ae0759.jpg?v=1736897488&width=1500)
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GATea50D0485C1deg2US
Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US
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MTI
- Oblea monocristalina de GaAs, grado PRIME
- Método de crecimiento: VGF
- Orientación: (100) 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados
- Tamaño: 2" dia x 0.485mm
- Pulido: Una cara pulida
- Dopado: Te dopado
- Tipo de conductor: Tipo N
- Concentración de portadores: (0,1-0,6) x 10^18 /cm^3
- Movilidad: 3500-3600 cm^2/V.S
- Resistividad: (2,9-10,7) E-3 ohm-cm
- EPD: <8000/cm^2
- Nota: Pulido EPI: RMS < 5 Angstrom
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