MTI  |  SKU: GATea0505035S1US

GaAs (100), tipo N dopado con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

€40,19

Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

GaAs (100), tipo N dopado con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Tamaño: 5 x 5 x 0,35 mm
  • Pulido: una cara pulida
  • Dopado: Te dopado
  • Tipo de conductor: Tipo N
  • Concentración de portadores: (3,04-5,98) x 10^17 /cm^3
  • Movilidad: (3330-3850) cm^2/V.S
  • Resistividad: (3,14-5,34) E-3 ohm-cm
  • EPD: < 5000 /cm^2
  • Nota: pulido EPI
  • RMS < 5 Angstrom

Productos relacionados

Otros GaAs
InSb

 		Otros InAs

 		InP


GaSb

 		Caja para obleas

 Recubridora de película

 Hornos RTP
Volver al principio