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Cu Film on Ta/Silicon Wafer , Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x5x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Cu Film on Ta/Silicon Wafer, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x10x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ 4 "Oblea de silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 4 "x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ 4 "Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 4 "x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ Oblea de silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 10x10x0.525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B5x5x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 10x10x0.525mm, 1sp

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Cu Sustrato metálico ( policristalino) 10x10x0,5mm, 1 cara pulida

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Cu Sustrato metálico ( policristalino) 10x10x1,0mm, 1 cara pulida

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Sustrato monocristalino de Cu: (100)+/-1 grado, 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida

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Cu Single Crystal Substrate: (100), 10mm Dia. x 1.0 mm, 1 cara pulida - MCCua10D10C1

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Sustrato monocristalino de Cu: (100), 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida

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Sustrato monocristalino de Cu: (100), 10x10x1,0 mm, 1 cara pulida - MCCua101010S1

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Cu Single Crystal Substrate: (100), 2" Dia. x1.0 mm, 1 cara pulida - MCCua50D10C1

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Sustrato monocristalino de Cu: (100), 5x5x1,0 mm, 1 cara pulida

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Cu Single Crystal Substrate: (110), 10mmDia. x1.0 mm, 1 cara pulida,

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Sustrato monocristalino de Cu: (110), 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida

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Sustrato monocristalino de Cu: (110), 10x10x1,0 mm, 1 cara pulida - MCCue101010S1

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Sustrato monocristalino de Cu: (110), 20x20x1,0 mm, 1 cara pulida

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Sustrato monocristalino de Cu: (110), 5x5x1,0 mm, 1 cara pulida