Cristal Growyh

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Horno de crecimiento de cristales de epitaxia en fase líquida de alta presión ( 1,2 MPa) a 1100°C y sistema de caja de guantes - HP1100X-LPEGB

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Sistema de fusión por inducción en vacío 1650C para solidificación direccional - EQ-SKJ-ZM1650

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1200 ºC Máx. Horno de crecimiento de solución de siembra superior (TSSG) - VTF-1200X-TSSG

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Horno de crecimiento de solución de siembra superior (TSSG) de 3 zonas a 1200 ºC máx. - VTF-1200X-III-TSSG

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1100C Max. Revestimiento por Inmersión o Crecimiento Bridgman con Tubo de 2" Controlado por Atmósfera - PTL-HT

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1100 °C Max. Cultivador de cristal compacto híbrido para CZ y Bridgman con control de atmósfera - OTF-1200X-SCB

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1000°C Max. Horno de fusión de zona compacto para solidificación direccional - OTF-1000-CBZ

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Horno Bridgman de 1650°C para solidificación direccional y crecimiento de cristales - EQ-SKJ-BG1650-LD

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Horno CVD MIST 1200°C para crecimiento de cristales- OTF-1200X-Mist

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1200°C Max. Horno Bridgman pequeño para crecimiento de cristales con tubo de cuarzo hermético de 80 mm - SKJ-BG-1200

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Horno de alta presión de doble zona de calentamiento -10 MPa a 1200°C para el crecimiento de cristales de GaN - CM-HIP-2-II

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Sistema de cultivo de cristales CZ pequeños para cristales individuales de < 1" hasta 2100C - IMCS-2000-CZ

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Dispositivo giratorio de sellado de ampolla al vacío para tubo de 20 mm de diámetro exterior - VTS-1

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Horno de crecimiento de cristales epitaxiales en fase líquida hasta 1700C - VBF-1700-LPE

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Cultivador de cristal híbrido para CZ y Bridgman hasta 1700°C con control de atmósfera - OTF-1700X-PVT

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Horno Bridgman económico y compacto para crecimiento de cristales con alambre colgante hasta 1100C - OTF-1200X-S-VT-BMGH

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Sistema de crecimiento de cristales Czochralski hasta 2100°C - SKJ-50CZ

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Cultivador de cristales por fusión por levitación en vacío - EQ-SKJ-LCZ

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Horno de crecimiento LPE de 5 zonas para película YIG (1200C máx.) - VTF-1200X-LPE

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400C Max. Horno de fusión de zona para solidificación direccional y purificación - OTF-1000XCBZ-AB