GaAs (111)B orientación, Semi-Insulating, undoped, 5X5x 0.625mm, 1sp

Oblea monocristalina de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (111)B

Plano primario: EJ(0-11)+/- 0.5 deg; Plano secundario: EJ(-211)
Tamaño: 5X5 x 0.625mm
Pulido: Una cara pulida
Dopado: no dopado
Tipo de conductor: Semi-aislante

Resistividad:(1,57-3,86)E8 ohm.cm
Concentración de portadores: N/A
Movilidad: (4120-5860) cm^2/V.S
EPD: N/A

Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm