GaAs, Método de crecimiento: VGF (111)B, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 2sp - GASicB50D035C2US

Oblea monocristalina de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (111)B

Plano primario: EJ(0-11)+/- 0.5 deg; Plano secundario: EJ(-211)
Tamaño: 2" dia x 0.35mm
Pulido: Dos caras pulidas
Dopado: Dopado con Si
Tipo de conductor: S-C-N

Resistividad:(1,5-4,1)E-3 ohm.cm
Concentración de portadores: (0,6-2,4)x10^18 /c.c
Movilidad:1750-2450 cm^2/V.S
EPD: N/A

Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm

Nota: Obleas preparadas para EPI