MTI  |  SKU: GAUe76D05C1US5

GaAs VGF orientación Grown(110), no dopado, semi-aislante, 3" dia x 0.5mm, 1sp

€378,35

Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

GaAs VGF orientación Grown(110), no dopado, semi-aislante, 3" dia x 0.5mm, 1sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Plano primario: EJ(1-10) +/- 0,5 grados
  • Plano secundario: EJ (001) +/- 0,5 grados
  • Tamaño: 3" dia x 0.5mm
  • Pulido: Una cara pulida
  • Dopado: No dopado, semiaislante
  • Tipo de conductor: S-I
  • Concentración del portador: N/A
  • Movilidad: 4570-6190cm^2/V.S
  • Resistividad: (0,89-3,8)x10^8ohm.cm
  • Superficie y embalaje listos para EPI

Productos relacionados

Otros GaAs


 		InSb

 		Otros InAs

 		InP


GaSb

 		Caja de obleas

 Recubridora de película

 Hornos RTP
Volver al principio