GaN (0001) 10x10,5x0,35mm,1sp, Semiaislante

Los sustratos monocristalinos de GaN se fabrican mediante un método basado en la epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La gran velocidad de crecimiento permite el crecimiento de grosores de oblea autoportantes en un periodo de tiempo conveniente.

Especificaciones del sustrato

• Orientación: eje c (0001) +/- 1,0 ^o
• Espesor nominal 350+/- 25 micras
• Dimensión: 10 mm x 10,5 mm +/- 0,5 mm
• Arco <5 micras
• TTV <10 micras
• Tipo de Conducción Semi-aislante
• Resistividad ^>106 ohm-cm
• Densidad de dislocación ^<5x106cm-2
• Densidad de macrodefectos <=5 cm-2
• Transmisión: => 70% ( pulse aquí para ver la curva de transmisión )
• Acabado de la Superficie Frontal (Cara Ga), RMS <0,3 nm
• Superficie útil : >90% ( exclusión de bordes)

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