Ge Wafer (100) +/- 2,5 Grados Sin dopar, 2" dia x 0,5 mm, 1SP, Resistividades: >50 ohm-cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (100) +/-2.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 2" dia x 500 micras
• Pulido superficial: pulido epi por un lado
• Rugosidad superficial: RMS o Ra: ~ 10 A ( por AFM)
• Dopado: No dopado
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad >50 ohmios/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640