Ge Wafer (111) Sin dopar, 1" dia x 0,5 mm ,2SP, R:>50 ohm.cm

Especificación Ge Wafer

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (111) +/-0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 1 "de diámetro x 0,5 mm
• Pulido de la superficie: dos lados pulidos
• Rugosidad superficial: Ra < 10 A ( por AFM)
• Dopado: Sin dopar
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad >50 ohmios/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000

Propiedades típicas:

• Estructura: Cúbica, a = 5,6754 A
• Densidad: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto de fusión: 937,4 ^oC
• Conductividad térmica: 640