LaAlO3,(100) ori. 10x10x 0.5mm substrato , 2 cara EPI pulido - LAOa101005S2
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LaAlO3,(100) ori. 10x10x 0.5mm substrato , 2 cara EPI pulido - LAOa101005S2
MTI
| El monocristal de LaAlO3 proporciona una buena correspondencia reticular con muchos materiales con estructura de perovskita. Es un sustrato excelente para el crecimiento epitaxial de superconductores de alta Tc y películas finas magnéticas y ferroeléctricas. Las propiedades dieléctricas del cristal LaAlO3 son muy adecuadas para aplicaciones de microondas de bajas pérdidas y resonancia dieléctrica.
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Propiedades físicas típicas | |
Estructura cristalina |
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Método de crecimiento | Czochralski |
Densidad | 6,52 g/cm3 |
Punto de fusión | 2080 oC |
Expansión térmica | 10 (x10-6/ oC) |
Constante dieléctrica | ~ 25 |
Tangente de pérdida a 10 GHz | ~3x10-4 @ 300K , ~0,6 x10-4 @77K |
Color y aspecto | Transparente a marrón según las condiciones de recocido. |
Estabilidad química | Insolubleen ácidos minerales a 25 oCy soluble en H3PO3 a> 150 oC |


