SiC - 4H en eje <0001>+/- 0,5 grados 4" diá. x0,35 mm espesor. Semiaislante dos caras pulido (cara Si EPI- pulido)-1

Especificaciones del sustrato

• Orientación: sobre el eje <0001>+/- 0,5 grados
• Dimensión: 4"( +/-0.015'')Dx0.35mm( +/-25um)
• Pulido: pulido epi en dos lados
• Rugosidad superficial: < 10 A por AFM
• Haga clic aquí para identificar la cara de Si de C de estas obleas pulidas por las dos caras

Propiedades típicas del SiC monocristalino

• Peso de la fórmula: 40,10
• Célula unitaria: Hexagonal
• Constante de red: a =3,07 A c = 10,53 A
• Secuencia de apilamiento: ABCB (4H)
• Orientación: (0001)
• Pulido: Cara de silicio pulida EPI
• Band Gap: 3.26eV ( Indirecto)
• Tipo de conductividad: Semi-aislante
• Resistividad: >1E5 ohm-cm
• TTV/Bow/Warp: <=25 um
• Densidad Micropipe: <=15 cm^-2
  
• Constante dieléctrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conductividad térmica: N/A
• Dureza: 9 Mohs
• Ra: <= 1nm
  

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