Sustrato de cristal A-Z

MTI

Si Wafer (100) 2" dia x 0.5mm, 1SP, P tipo B dopado, R:0.001-0.005 ohm.cm

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Oblea de Si (100) 2" dia x 0,5 mm, 1SP, FZ, Sin dopar, resistividades: > 10.000 ohm-cm - SIUa50D05C1R10000

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Oblea de Si (100) 2" dia x 0,5 mm, 1SP, FZ , Sin dopar, resistividades: > 5000 ohm-cm

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Si Wafer (100) 2" dia x 0.5 mm t, 1SP, FZ Sin dopar, resistividades: > 1000 ohm-cm - SIUa50D05C1R1000

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Oblea de Si (100) 3 "dia x 0.5 mm, 2sp tipo P, B dopado, resistividades: 0,005-0,028 ohm-cm

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Sustrato monocristalino de Si, no dopado (100), 2 "diax 1.0mm 1sp, R>10000 ohm.cm - SiUa50D10C1R10000

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Oblea de Si (510)= Si (100) con desviación de 11,3 grados hacia <100>/<110>, 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo N (sin dopar, FZ R>1000 ohm-cm) - SiUa510ori101D05C1

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Si (111) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo P no dopado, R>1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo N no dopado, R >1000 ohm-cm

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Si (111) 10x10x0,5mm, 1SP, dopado con B tipo P, R:1-10 ohm-cm

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Si (111) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm - SiUc101005S1R1000

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Si (111) 10mm dia x 0.35 mm, 1SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm

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Si (111) 1" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm

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Si (110) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm - SiUe101005S1R1000

MTI

Si (100) 5x5x0,5mm, 1SP, dopado con B tipo P, R: 1-10 ohm-cm

MTI

Si (100) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm

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Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, P tipo B dopado, R: 1-32 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo N sin dopar, R >1000 ohm-cm - SiUa101005S2R1000

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Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, N tipo P dopado, R: 5-10,3 ohm-cm