Sustrato de cristal A-Z

MTI

Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 2SP,tipo N, Sin dopar con resistividades: >10.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, sin dopar, resistividades: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >15.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, sin dopar con resistividades:> 10.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N, Sin dopar con resistividades: 8000-9000 ohm-cm

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Si Wafer (100), 4" dia x 0.5 mm, 1SP, N-type ,Undoped con resistividades:> 15,000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >5000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >1.000 ohm-cm - SiUa101D05C1R1000

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, Resistividades>200 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades:0.01-0.1ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades: 1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, Resistividades: 0,1 - 1,0 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividades: 0,001-0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo N, Sb dopado, R:0.01-0.02 ohm.cm - SISba101D05C1R001

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo N, dopada con As, resistividad: 0,001-0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,275 mm, P Tipo B dopado, 1SP, Resistividades: 0,5 - 2,0 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 " dia x 0,2 mm, 1SP, Tipo N, dopada con As, resistividad: 0,001-0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 2sp, tipo N, Sin dopar, R>1000 ohm-cm - SIUa76D05C2R1000

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 1sp, tipo N, dopada con P, R:1-10 ohm.cm - SIPa76D05C1R1

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Oblea de Si (100), 3 "dia x0,5 mm, 1sp, tipo N sin dopar R:>1000 ohm.cm