Sustrato de cristal A-Z

MTI

Oblea de Si (111), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo N (sin dopar, FZ R>10.000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R10000

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Oblea de Si (111), 4" dia x 0,4 mm, 1SP, Tipo N, sin dopar, FZ, R>5000 ohm-cm

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Oblea de Si (111), 4 " dia x 0,3 mm, N Tipo P dopado, 1SP, Resistividades: 15.000 - 25.000 ohm-cm

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Oblea de Si (111), 3" dia x 0,5 mm, 2sp, tipo N, no dopada, resistividad: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C2R1000

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Oblea de Si (111), 3 " dia x 0,5 mm, 1sp, tipo N, no dopada, resistividad: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C1R1000

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Oblea de Si (111), 2" diá. x 0,5mm, 1SP, FZ no dopada, R> 1000 ohm-cm

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Si Wafer (111), 2" dia x 0.5mm, 1SP, FZ Undoped, R> 5000 ohm-cm

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Oblea de Si (111), 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, dopada con P,R:1-10 ohm.cm

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Oblea de Si (111), 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, dopada con P,R:0,1-1,0 ohm.cm

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Oblea de Si (111), 2" diá. x 0,3 mm, 1SP, tipo N, dopada con As, R<=0,005 ohm-cm

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Oblea de Si (111), 2" diá. x 0,279 mm, 1SP, tipo N, dopada con P, R:1-10 ohm-cm - SIPc50D0279C1R1

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Oblea de Si (111), 2" diá. x 0,279 mm, 1SP, tipo N, dopada con As, R<0,005 ohm-cm - SIAsc50D0279C1

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Oblea de Si (111) con 4 grados off , 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividad: <0,01 ohm-cm

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Oblea de Si (111) con 4 grados, apagada, Prime Grade, 4" dia x 0.5 mm, 1SP, Tipo N, dopada con As, resistividad: 0.001-0.005 ohm-cm - SIAsc101D05C1deg4R0001

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Oblea de Si (111) con desviación de 10 grados hacia <112><110>, 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo N (sin dopar, FZ R>1000 ohm-cm) - SiUc101d05C1deg10R1000

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Oblea de Si (111) mal cortada 0+/-0,5 grados, 4" dia x 0,525 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, Resistividades:1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (111) 4 +/- 0,5 grados off , 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo P, B dopado, resistividad: 0,004-0,006 ohm-cm

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Oblea de Si (111) 3 " dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, dopada con B, resistividad: 1-10 ohm-cm - SIBc76D05C1R1

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Si Wafer (111) 2" dia x 0.5mm, 1SP, FZ, Undoped, R> 10,000 ohm-cm - SIUc50D05C1R10000

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Oblea de Si (111) 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo P, dopada con B, R:1 - 10 ohm-cm - SIBc50D05C2R1