Sustrato de cristal A-Z

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 5mmx 5mmx0,46 mm,2sp, Film:1,0um espesor

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 5mmx 5mmx0,46 mm,2sp, Lámina:0,6um espesor

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 10mmx 10mmx0,46mm,2sp, Lámina: 1,0 um de espesor

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 10mmx 10mmx0,46mm,2sp, Lámina: 0,6 um de espesor

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0,46mm,2sp, Película: 1,0 um espesor,

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0,46mm,2sp, Película: 0,6 um espesor,

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0,46mm,2sp, Película: 0,5 um espesor,

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0.46mm,1sp, Film: 1.0 um espesor

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0.46mm,1sp, Película: 0.6 um espesor

MTI

Silicio sobre zafiro (11-02, Plano R ), 100mm Dia x 0,46mm,1sp, Película: 0,5 um espesor

MTI

SiC-3C N-type Film on Silicon (111) Wafer, Film: 1.0um Thick substrate size: 10x10x1.0mm

MTI

SiC - 6H (0001), 5x5x0,33 mm, 2 SP

MTI

SiC - 6H (0001), 10x10x0,26 mm , dos caras pulidas

MTI

SiC - 6H (0001), 1/4 "x1/4 "x0,26 mm , dos caras pulidas

MTI

SiC - 6H (0001) 8 mm de diámetro x 0,3 mm de grosor, una cara pulida

MTI

SiC - 4H en eje <0001>+/- 0,5 grados 4" diá. x0,35 mm espesor. Semiaislante dos caras pulido (cara Si EPI- pulido)-1

MTI

SiC - 4H (0001)con 4 grados de hacia <11-20> /<10-10>, 10x10x0.33 mm , Cara Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

MTI

SiC - 4H (0001), 5x5x0,33 mm , dos caras pulidas

MTI

SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm , una cara pulida

MTI

SiC - 4H (0001), 2" diá. x0,33 mm esp., dos caras pulidas - SC4Hz50D033C2US