Sustrato de cristal A-Z

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GaAs VGF con orientación (110), no dopado, semiaislante, 100 mm de diámetro x 0,5 mm, 1 unidad

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GaAs - Orientación VGF (110), dopado con Zn, tipo P, 3" dia x 0.5mm, 2sp - GAZne76D05C2US5

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GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 2sp

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GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 1sp,cc: (1.65-3.92) x 10^18 /cm^3

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)B , SI, no dopado, 4" dia x 0.625 mm, 2sp

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GaAs ,Método de crecimiento: VGF (111)B , SI, no dopado, 100mm dia x 0.625 mm, 1 sp

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,5mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D05C1deg2US

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Orientación GaAs (100), 2 grados OFF hacia [101] +/- 0,5 grados, dopado con Te, tipo N, 2" dia x 0,485mm, 1sp, Prime Grade - GATea50D0485C1deg2US

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Ga:ZnO (0001) tipo N+, dopado con Ga, 10x10x0,5mm, cara 1sp Zn pulida

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Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Sn 10x10x0.5mm, 1SP

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Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Fe 10x10x0.5mm, 1SP

MTI

Sustrato monocristalino Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

MTI

Ga2O3 - Beta, Sustrato monocristalino, <-201> ori, 10x10x0.6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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FZ Si Wafer (111), 2" dia x 0.275 mm, 1SP, tipo P, B dopado R>1000 ohm-cm

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FZ Si Wafer (100), 2" dia x 0.3 mm, 1SP, tipo P, B dopado R>1000 ohm-cm

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Plantilla FLAAT GaN (0001)( N+ ,dopado con Si) sobre Zafiro N+ , 2 "x 15um,1sp - FmGaNSionALc50D15C1US

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Fe:SrTiO3 (111) 10x10x0,5mm 1sp (Fe dopado 0,005 wt%) - STOFec101005S1

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Fe:Al2O3 (0001) 10x10x0,5mm 1sp (Fe dopado 0,05 -0,1% peso )