Sustrato de cristal A-Z

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 5 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10x10x0,3mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 4" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.47-3.78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 3" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.4-3.96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)B , dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.4 mm, 2sp

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)A, dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100), dopado con Zn, tipo P, 3 "x0,5 mm, 1sp

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado Ptype, , 2 "x0,35 mm, 1sp, CC: (2,67-3,27) x 10^18 /cm^3

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GaAs, Método de crecimiento: VGF (111)B, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 2sp - GASicB50D035C2US

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado tipo P, , 2 "x0,5 mm, 2sp, (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) Zn dopado tipo P, , 2 "x0,5 mm, 1sp, (5,17-9,38) x 10^17 /cm^3

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Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) tipo P dopado con Zn , 3 "x0,625 mm, 1sp

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopado Semi-Insulado, 100mm D x 0.6 mm, 2SP

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopado Semi-Aislado 4 "D x 0.6mm, 2SP, Grado Mecánico

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 3 "D x0.5 mm, 1SP

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 2SP, Grado Mecánico

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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 100mm D x0.6 mm, 1SP

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GaAs VGF orientación Grown(110), no dopado, semi-aislante, 3" dia x 0.5mm, 1sp