Horno CVD

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Horno con pulverización ultrasónica de 1,7 MHz hasta 1800C para formación de partículas especiales - GSL-1800X-PGEP

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Horno tubular de cristalización horizontal dirigida (HDC), 1100C máx. - OTF-1200X-50-DSL

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Horno tubular 1200C con juego anticorrosivo: Bridas de PTFE y mezclador de gas - OTF-1200X-80-F3LV-PTFE

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Horno tubular de dos zonas de 1200°C máx. Horno tubular de 80 mm de diámetro exterior con evaporador de líquido, detectores de humedad y H2 y válvula de cierre - OTF-1200X-II-80HG-UL

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Horno de 3 zonas (5" de diámetro, 1200C máx.) con brida deslizante, mezclador de gas y bomba de vacío -OTF-1200X-III-5-C3LVSF

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Horno tubular de alúmina de una zona 1700C con mezclador de gas de 3 canales, estación de vacío y vacuómetro anticorrosivo - GSL-1700X-F3LV

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Horno tubular de alúmina 1700C de tres zonas de 60 mm con mezclador de gas y sistema de vacío* - GSL-1700X-60-III-F3LV

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Horno tubular de una zona (diámetro 80 mm, 1200C máx.) con mezclador de gas de 3 canales, bomba de vacío y vacuómetro anticorrosivo - OTF-1200X-80-F3LV

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Horno tubular 1700C con sistema de regulación de la presión de vacío de precisión (E-4 torr) - GSL-1700X-PRY-UL-LD

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Horno tubular de 2" para CVD asistido por plasma de microondas (MPCVD) a 1200°C - GSL-1200X-50-MWPE

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Horno de pirólisis por pulverización ultrasónica 1.7MHz 1200C Máx. para síntesis de nanopartículas - OTF-1200X-PGEP

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Horno CVD de dos tubos de cuarzo (5"/4") y tres zonas hasta 1200C para película de grafeno - OTF-1200X-III-D5-4

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Horno tubular rotativo de 5" y dos zonas @1100C máx. para CVD de polvos - OTF-1200X-S-II-R5

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Horno tubular rotativo compacto de 2" y dos zonas @1100C máx. para CVD de polvos. - OTF-1200X-S-R-II