Horno CVD

MTI

Horno tubular con alto vacío (1E-4 torr) y estación de flujo de gas de 3 canales para CVD - Serie OTF-1200X-HVC3

MTI

Horno tubular de tres zonas (1200C) con estación de alto vacío (1,0E-4 torr) + estación de gas MFC de 4 canales para CVD - OTF-1200X-III-HVC-LD

MTI

Horno tubular de tres zonas (4") con bomba de vacío (1,0E-4 torr) + caudalímetros digitales de gas de 9 canales para CVD - OTF-1200X-4-III-9HV

MTI

Horno tubular CVD de tres zonas con tubo de cuarzo de 8,5" y brida deslizante (1100C) - GSL-1100X-8.5-III-SR

MTI

Horno tubular de 1100°C con sublimador de precursores sólidos para capas CVD 2D de TMDs - OTF-1200X-4-NW-UL

MTI

Sistemas compactos de vaporización de líquidos con control de temperatura y presión para CVD y DLCVD - LVD-F1

MTI

Horno CVD de doble tubo (11"/10") (1200°C máx.) para crecimiento de grafeno de gran superficie -GSL-1100X-III-D11

MTI

Horno rotativo de CVD 1200C de dos zonas y 4" con sistema automático de alimentación y recepción - OTF1200XIIR4-AF

MTI

1600°C Max. Horno MIST CVD para crecimiento continuo de nanotubos de carbono - GSL-1600X-CFM

MTI

Horno CVD MIST 1200°C para crecimiento de cristales- OTF-1200X-Mist

MTI

1650 Horno de vapor de oxidación-corrosión GSL-1700X-80CVD

MTI

Horno Micro-CVD/PVD para análisis in situ con 2 zonas de calentamiento, 1100°C máx. - GSL-1100-Micro

MTI

Horno económico MIST CVD (1200°C Max. ) para Crecimiento de Cristales- OTF-1200X-S-Mist

MTI

Horno rotativo CVD 1200°C asistido por plasma microondas con tubo de 2" - GSL-1200R-MWPE

MTI

1600°C Max. Sistema MIST/LPCVD hasta 6" Wafer - MIST-1600-6

MTI

1200C Max. Horno de pirólisis por pulverización ultrasónica de 3 zonas para la síntesis de nanopartículas - OTF-1200X-III-PGEP

MTI

Horno de doble tubo deslizante de 1200C máx. con bridas de tubo de 50 mm para TCVD - OTF-1200X-S-50-DFSL

MTI

Horno de tubo partido de doble zona de 1200C con sistema de alimentación de muestras de hasta 4 crisoles para HPCVD - OTF-1200X-II-ZL

MTI

Horno rotativo PE-HPCVD 1200C con evaporador in situ, MFC de 4 canales y bomba de vacío - OTF-1200X-II-PEC4

MTI

Horno tubular HPCVD de 1200C y tres zonas de 5 "D con sistema de alimentación de fuente secuencial y de co-deposición de hasta 3 crisoles - OTF-1200X-III-HPCVD-S3