La Sustrato de cristal

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Bi12GeO20 (BGO20) (001) 2" Dia x1mm 1 cara pulida - BGO20b50D10C1US

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Bi12GeO20 - BGO20 (001) 10x10x1mm 1 cara pulida

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Bi12GeO20 - BGO20 (001) 10x5x1,0 mm 1 cara pulida

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Bi4Ge3O12 - BGO12 (001) 10x10x0,5 mm, 1 cara pulida - BGO12b101005S1

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Bi4Ge3O12 - BGO12 (001) 10x10x0,5 mm, 2 caras pulidas

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Ge (111), plano-(1-10), tipo N, dopado con Sb, 10x10x0,5mm, 1sp, R:0,005-0,01 ohm.cm

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Ge tipo N SB-dopado (111) 5x5x0,5mm 1sp, R: 0,005-0,01 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,1 "x1 "x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>40 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge (100)tipo N ,no dopado ,10x10x0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N Sin dopar (100)ori. 10x10x0.4mm 1sp,R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino ,tipo N No dopado (100)ori. 10x10x0.5mm 1sp,R>50 ohm.cm - GEUa101005S1R50

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N Orificio (111) no dopado. 5x5x0.5mm 2sp,R>50 ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N dopado con Sb (100) 5x5x 0,45mm 1sp, R<0,009ohm.cm

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Ge Sustrato monocristalino, tipo N No dopado (100) +/-2,5 Grados, 10x10x0,5mm, 1sp, R: >50 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge, tipo P, dopado con Ga (100), 10x10x0,5mm 2sp, R:0,1-0,5 ohm.cm

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Sustrato monocristalino de Ge, no dopado (100)5x5x0,4-0,5mm,2sp, R>50 ohm.cm

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Ge Single Crystal wafer, N-type undoped (111) 4 "x0.5 mm,1sp.R:50 ohm.cm

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Ge Single Crystal wafer, N-type undoped (111) 4 "x0.5 mm,2sp, R:40 ohm.cm

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Sustrato Ge (100) 5x 5x0,4 mm, 1 SP, No dopado ,Tipo N.R>50 ohm.cm