Horno de alta presión de doble zona de calentamiento -10 MPa a 1200°C para el crecimiento de cristales de GaN - CM-HIP-2-II
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Horno de alta presión de doble zona de calentamiento -10 MPa a 1200°C para el crecimiento de cristales de GaN - CM-HIP-2-II
MTI
El CM-HIP-2-II es un horno abatible de doble zona de calentamiento y alta presión de hasta 10 MPa a 1200°C. Está diseñado especialmente para el crecimiento de cristales, como el método de fundente, el método térmico con amoníaco o el LPE para GaN o YIG. Está diseñado especialmente para el crecimiento de cristales, como el método de fundente, el método térmico con amoníaco o el LPE para GaN o YIG. También puede utilizarse como horno convencional de prensado isostático en caliente (HIP) .
Especificaciones
















