MTI
4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC(0001) with 4 degree off P type, 2 "dia. x0.33mm, carrier conc. (0.3-1.9) E16/cc, 2sp, film thickness: 11 um
4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC (0001) w/ 8 degree off, P type,2 "dia.x0.33mm, carrier conc. 1.4 E17/cc, 2sp, thickness 4.3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US
Ge epi-film tipo N de 4" sobre oblea de silicio tipo N, 0,5 um de espesor - FmGeNtypeonSiNtypea101D05C1US
2" dia. Película de InGaAs sobre InP (SI) (100) Depositada por MOCVD, 2" dia x0.35mm,2sp,Película:500 nm
2" dia. InGaAs EPI Film on InP (SI) (100) Depositied by MOCVD ( InP:Fe) 2" dia x0.35mm,2sp,Film:750 nm
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