Películas finas A-Z

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 7) con patrón 1" x 1" x 1,1 mm, R: 7-10 ohm/sq 25pcs /pack

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 7) 20mm x 20mm x 3,0 mm, R: 6-8 ohm/sq 25pcs /pack

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 7) 100 x 100 x 1,1 mm, R: 7-10 ohm/sq 5 uds./paquete

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 7) 1,0" x 3" x 3,0 mm, 6-8 ohm/sq, 25pcs /paquete - FTO257630TEC7gp25

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 7) 1" x 1" x 3,0 mm, R: 6-8 ohm/sq 25pcs /pack

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 7) 1" x 1" x 1,1 mm, R: 7-10 ohm/sq 25pcs /pack

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 15) 100 x 100 x 3,0 mm, R: 12-14 ohm/sq 25 uds./paquete

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Sustrato de vidrio FTO (TEC 15) 1" x 1" x 2,2 mm, R:12-14 ohm/sq 25pcs /pack

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Oblea de diamante sobre silicio (DOS), 5x5mm , 2 um de espesor, 10 nm Ra

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Diamond on Oxide Wafer(DOI), 5 mm x 5 mm, 2um de espesor, 10nm Ra

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Película de diamante conductora de electricidad sobre aislante (DCI), 5x5 mm , 2 um de espesor,

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 10x10x0.525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B5x5x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ Oblea de silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 10x10x0.525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ 4 "Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 4 "x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ 4 "Oblea de silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 4 "x0,525mm, 1sp

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Cu Film on Ta/Silicon Wafer, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x10x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Cu Film on Ta/Silicon Wafer , Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x5x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Película de CeO2 (40 nm una cara) sobre YSZ, <111>10x10x0,5 mm, 1sp - FmCeO2onYSZc101005S1FT40nm

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Película de CeO2 (40 nm una cara) sobre YSZ <110> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZe101005S1FT40nm