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Lámina de vanadio (V): 0,25 mm t x 50 mm A x 100 mm L - MF-V-Foil-100L-0,25T

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Celda de flujo redox de vanadio (unidad de división simple) para I+D de baterías - EQ-VRB-C-LD

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Horno tubular vertical 1700C de vacío y atmósfera con tubo de alúmina de 80 mm - GSL-1700X-VT-UL

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Recubridora R2R Vertical de Doble Lado con Ancho Máx. 250mm de ancho para electrodos de batería-MSK-AFA-DS300-LD

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Horno de pirólisis vertical 1500 Max. para síntesis de nanopartículas - OTF-1500X-VT-III-PGEP

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Horno tubular vertical para pruebas de pilas de combustible pequeñas (pila D20 mm, 1000°C) - OTF-1200X-S-VT-C4

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VGF -InP (100) no dopado 5x5x0,35mm,1sp

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VGF InP (100) dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

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VGF InP (100) sin dopar, oblea de 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

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VGF InP (100) sin dopar, oblea de 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

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VGF InP (100) no dopado,10x10x 0,35 mm oblea, 1sp

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VGF InP (100) dopado con Zn, 2" x 0,35mm, oblea, 1sp

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VGF InP (110) dopado con Fe, oblea de 2 "x0,5 mm, 2sp

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VGF-GaAs (100) tipo N Si dopado 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 5 x 5 x 0,5mm, 1sp

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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

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VGF-Ge Wafer (100) 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, N type ( As- doped), R: 0.088- 0.183ohm.cm

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VGF-Ge Wafer (100) 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( As- dopado), R: 0.173-0.25 ohm.cm

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VGF-Ge Wafer (100) con 6 grados de desviación hacia <111>, 100 mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P (Ga dopado), R: 0.3-0.33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US