Diamante dopado con boro sobre sustrato de silicio
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Diamante dopado con boro sobre sustrato de silicio
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Un diamante dopado con boro (BDD) sobre sustrato de silicio (Si) es un material de alto rendimiento que combina las excelentes propiedades del diamante con la versatilidad del silicio. El sustrato está formado por una oblea de silicio conductora recubierta con una fina capa de diamante dopado con boro. El dopaje con boro introduce una conductividad de tipo p en la capa de diamante, lo que mejora sus propiedades eléctricas y lo hace adecuado para su uso en aplicaciones electroquímicas.
Este material ofrece una combinación única de características, entre las que se incluyen la alta conductividad térmica, la conductividad eléctrica y la dureza del diamante, junto con la compatibilidad y la rentabilidad ya consolidadas del silicio. Por lo tanto, este producto es una alternativa más asequible a la placa de diamante dopado con boro policristalino. El dopaje con boro mejora aún más la capacidad del sustrato para soportar reacciones electroquímicas, ofreciendo un transporte de carga y una disipación del calor eficientes.
El electrodo de sustrato BDD sobre Si se presenta en dos tipos principales. El primer tipo, BDD(2)/Si, se define como un electrodo en el que todas las superficies del sustrato de silicio están recubiertas de BDD. En la segunda variante, BDD(1)/Si, solo la superficie frontal y los laterales de la oblea están recubiertos de BDD. Esto es importante en función de la célula electroquímica que se utilice. Si se trata de una célula electroquímica de montaje inferior o de un soporte de muestras, en los que solo una superficie del electrodo queda expuesta al electrolito, el BDD(1)/Si resultará adecuado para ambos tipos de conexiones eléctricas: contacto frontal y contacto trasero (cabe recordar que la oblea de silicio utilizada es conductora). Sin embargo, si se tiene previsto sumergir todo el electrodo en el electrolito, por ejemplo, utilizando un portamuestras de este tipo, se recomienda utilizar un sustrato de silicio recubierto de BDD por todas sus caras, es decir, el BDD(2)/Si.
Nota
de aplicación: Las propiedades del BDD son especialmente importantes en el electroanálisis para el desarrollo de sensores y biosensores. Los electrodos de BDD permiten detectar numerosas moléculas electroactivas en medios acuosos que, de otro modo, quedarían enmascaradas por las reacciones de descomposición del agua a potenciales más elevados. La superficie del electrodo de BDD puede someterse a una (foto)funcionalización o decoración adicional. Con el fin de mejorar la respuesta electroquímica en presencia de moléculas orgánicas, la superficie del BDD también puede modificarse con nanopartículas metálicas (p. ej., Au). El BDD es, además, un material de electrodo ampliamente utilizado para el almacenamiento electroquímico de energía, la electrocatálisis o la electrosíntesis.
Tenga en cuenta que este producto presenta ligeras diferencias en sus propiedades electroquímicas con respecto a la placa de diamante dopado con boro policristalino. No obstante, en la mayoría de las aplicaciones, el uso de este producto como alternativa más asequible está plenamente justificado.
Especificaciones
: tolerancia de espesor: <10 %
; potencial de evolución de oxígeno en H₂SO₄ 0,5 M: 2,3 V
; potencial de evolución de hidrógeno en H₂SO₄ 0,5 M: -0,8 V
; corriente de fondo: 12 µA/cm²; rango de dopaje con B medido
: 1-5·10²⁰ cm³
; resistividad medida: 37 ohm·cm
; espesor de la capa de BDD: 8 µm
; tamaño de grano: 7 µm
; densidad de corriente recomendada a largo plazo: <80 mA/cm²
; área electroquímicamente activa: 1,8 cm²/cm²
; rango de pH: 1-13
Datos
Intrastat: Código SA: 85414290
País de origen: Suecia
Peso neto: 100 g
El producto incluye
1 electrodo BDD sobre sustrato de Si
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