MTI  |  SKU: FmCu100Ta20onSiBa100505S1R1

Cu Film on Ta/Silicon Wafer , Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x5x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Cu Film on Ta/Silicon Wafer , Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x5x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

MTI

Especificaciones:

  • Oblea de Si recubierta de Cu ( tamaño 10x5 mm )
  • Espesor de la película de Cu policristalino altamente orientado <111>: 100 nm
  • Espesor de la barrera de difusión de Ta: 20-50 nm
  • Oblea de Si de 10x5x 0,5 mm de grosor (Prime Grade)
  • Tipo P, dopado con B, orientación <100>, SSP
  • Resistividades 1-20 ohm-cm
  • Rugosidad de la superficie: según crecimiento, RA < 10 nm
  • Embalaje: Una sala blanca de clase 1000 con bolsa de plástico de clase 100
  • 10 unidades por paquete para un pedido mínimo
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