MTI  |  SKU: GASia50D035C2US5

GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 2sp

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GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) dopado con Si, tipo N, 2" dia x 0.35mm, 2sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (100)
  • Tamaño: 2" dia x 0.35 mm
  • Pulido: Dos caras pulidas
  • Dopado: Si dopado
  • Tipo de conductor: Tipo N
  • Concentración de portadores: (1,60-3,94) E18 /cm^3
  • Movilidad: (1400-2100) cm^2/V.S
  • Resistividad: (1,08-1,90) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 500cm^2
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y empaquetadura listas para EPI
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