MTI  |  SKU: GAZncA50D05C2US5

GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)A, dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)A, dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAZncA50D05C2US5

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (111)A
  • Tamaño: 2" dia x 0.5mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Dopado: dopado con Zn
  • Tipo de conductor: S-C-P
  • Resistividad: (6,82-7,58)E-3 ohm.cm
  • Concentración de portadores: (1,07-1,26)E19cm^-3
  • Movilidad: 73-77 cm^2/V.S
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Nota: Obleas preparadas para EPI

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