MTI  |  SKU: GAZncB50D04C2US5

GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)B , dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.4 mm, 2sp

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)B , dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.4 mm, 2sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (111)B
  • Tamaño: 2" dia x 0.4 mm
  • Pulido: dos caras pulidas
  • Dopado: dopado con Zn
  • Tipo de conductor: S-C-P
  • Resistividad: (7,49-8,12)E-2 ohm.cm
  • Concentración de portadores: (3,70-4,01)E17cm^-3
  • Movilidad: (208-209) cm^2/V.S
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Nota: Obleas preparadas para EPI

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