MTI  |  SKU: GASie100503S2US

GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 10 x 5 x 0,35 mm
  • Pulido: Dos caras pulidas
  • Dopado: Dopado con Si
  • Tipo de conductor: S-C-N
  • Concentración de portadores: (2,4-3,27)x10E18/cm^3
  • Movilidad: 1630-1870 cm^2/V.S
  • Resistividad :( 1,17-1,4)x10^-3 ohm.cm
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Nota: Obleas preparadas para EPI


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