MTI  |  SKU: GASie101003S2US

GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10x10x0,3mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10x10x0,3mm, 2sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 10 x 10 x 0,3-0,35 mm
  • Pulido: Dos caras pulidas
  • Dopado: Dopado con Si
  • Tipo de conductor: S-C-N
  • Concentración de portadores:(2,49-3,27)x10^18/c.c
  • Movilidad: 1630- 1870cm^2/V.S
  • Resistividad :( 1,17-1,4)x10^-3 ohm.cm
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm



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