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MTI | SKU:
GASie50D035C1US5
GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 1sp
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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 1sp
MTI
Especificaciones:
- Oblea monocristalina de GaAs
- Método de crecimiento: VGF
- Orientación: (110)
- Tamaño: 2" dia x 0.35 mm
- Pulido: Una cara pulida
- Dopado: Dopado de Si
- Tipo de conductor: S-C-N
- Concentración de portadores: (1,20-2,45)x10^17/cm^3
- Movilidad: 3380-3970 cm^2/V.S
- Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
- Resistividad: (0,76-1,37)x10^-2 ohm.cm
- Nota: Obleas preparadas para EPI
