MTI  |  SKU: GAUe202005S1US

GaAs, VGF Grown (110) ori. un-doped, Semi-Insulating, 20x20x0.5mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. un-doped, Semi-Insulating, 20x20x0.5mm, 1sp

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 20x20x0.5mm
  • Pulido: Una cara pulida
  • Dopado: no dopado
  • Tipo de conductor: S-I
  • Movilidad: 3990-5030 cm^2/V.S
  • Resistividad :( 2,5-5,1)x10^8 ohm.cm
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Nota: Obleas preparadas para EPI


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