MTI  |  SKU: GAUe50D05C1US5

GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 1sp,

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 1sp,

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 2" dia x 0.5mm
  • Pulido: una cara pulida
  • Dopaje: no dopado
  • Tipo de conductor:SI ( semiaislante)
  • Concentración del portador: N/A
  • Movilidad: 3710-6230cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Resistividad:(0,2-5,5)E8 ohm.cm
  • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
  • Superficie y embalaje listos para EPI


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