MTI  |  SKU: GAUe100D05C1US5

GaAs VGF con orientación (110), no dopado, semiaislante, 100 mm de diámetro x 0,5 mm, 1 unidad

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GaAs VGF con orientación (110), no dopado, semiaislante, 100 mm de diámetro x 0,5 mm, 1 unidad

MTI

  • Oblea monocristalina de GaAs
  • Método de crecimiento: VGF
  • Orientación: (110)
  • Tamaño: 100mm dia x 0.5mm
  • Pulido: Una cara pulida
  • Dopado: Sin dopar
  • Tipo de conductor: S-I
  • Concentración de portador: N/A
  • Movilidad: 5260-6180cm^2/V.S
  • Resistividad: (1,05-3,03)x10^8ohm.cm
  • Ra(Rugosidad media) : < 0.4 nm
  • Superficie y embalaje listos para EPI


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