Oblea de GaAs - Método de crecimiento: VGF (100) tipo P dopado con Zn , 3 "x0,625 mm, 1sp

Oblea monocristalina de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 3" dia x 0.625 mm
Pulido: una cara pulida
Dopado: Zn dopado
Tipo de conductor: S-C-P
Concentración de portadores: (0,74 - 3,60) x 10^19 /cm^3
Movilidad: 59-88 cm^2/V.S
EPD: < 5000/cm^2

resistividad: (2,92 - 9,70)x10^-3 ohm.cm
Nota: obleas preparadas para EPI

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